[发明专利]三维闪存以及三维闪存沟道孔的非晶硅盖的形成方法

摘要

本发明提供三维闪存以及该三维闪存沟道孔的非晶硅盖的形成方法。在形成非晶硅盖时包括以下步骤：在沟道孔内形成沟道氧化物；去除顶部的沟道氧化物、电荷阻挡层、以及隧道绝缘层后，在顶部沉积覆盖沟道氧化物、电荷阻挡层、隧道绝缘层、电荷陷阱层以及掩模层顶部的非晶硅作为第二非晶硅层，使得该第二非晶硅层与第一非晶硅层相连；将第二非晶硅层中的电荷陷阱层去除并用非晶硅填充；去除第二非晶硅层，使掩模层露出。

主权项

1.一种三维闪存沟道孔的非晶硅盖的形成方法，所述沟道孔的外侧顶部设置有掩模层，所述沟道孔的内侧从壁部向轴心依次形成有电荷阻挡层、电荷陷阱层、隧道绝缘层以及第一非晶硅层，该非晶硅盖的形成方法的特征在于，包括以下步骤：在所述沟道孔内形成沟道氧化物；通过湿法刻蚀同时去除顶部的所述沟道氧化物、所述电荷阻挡层、所述隧道绝缘层、所述电荷陷阱层以及所述掩模层，其中所述电荷陷阱层的刻蚀厚度小于所述掩模层的刻蚀厚度，然后在顶部沉积覆盖所述沟道氧化物、所述电荷阻挡层、所述隧道绝缘层、所述电荷陷阱层以及所述掩模层顶部的非晶硅作为第二非晶硅层，使得该第二非晶硅层与所述第一非晶硅层相连；利用干法刻蚀将所述第二非晶硅层中的所述电荷陷阱层去除，使得所述电荷陷阱层与所述隧道绝缘层的高度相同，然后用非晶硅填充；去除所述第二非晶硅层，使所述掩模层露出。