[发明专利]一种层次化多重冗余的磁性随机存储器及其运行方法有效

专利信息
申请号: 201810200945.6 申请日: 2018-03-12
公开(公告)号: CN110265074B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 王春林;戴瑾 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;G06F12/02;G06F12/06;G06F12/0891
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种层次化多重冗余的磁性随机存储器,包括控制电路、错误检测和校正电路、存储模块、行列地址映射表、块地址映射表;存储模块由K+K’个数据块组成,其中K个数据块是普通块,另外K’个数据块是冗余块;每个数据块有M+M’行、N+N’列,其中M个行是普通行,另外M’个行是冗余行,其中N个列是普通列,另外N’个列是冗余行。本发明通过在不同层次上的冗余,避免了对每一块/行/列都配置专门的失效地址映射表,使用错误检测和校正电路进行实时的错误检测和失效地址映射表更新。从而以较低的成本,使MRAM芯片在部分存储单元失效的情况下仍然能正常工作。
搜索关键词: 一种 层次 多重 冗余 磁性 随机 存储器 及其 运行 方法
【主权项】:
1.一种磁性随机存储器,其特征在于,包括控制电路、错误检测和校正电路、存储模块、行列地址映射表、块地址映射表;所述存储模块由K+K’个数据块组成,其中K个所述数据块是普通块,另外K’个所述数据块是冗余块;每个所述数据块有M+M’行、N+N’列,其中M个所述行是普通行,另外M’个所述行是冗余行,其中N个所述列是普通列,另外N’个所述列是冗余行;每个所述冗余块、每个所述冗余行和每个所述冗余列均有一个已占用状态位,所述已占用状态位的初始值均为0。
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