[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810201159.8 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108573958A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 长谷川尚 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;马建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置(100)具有：泄漏电阻电路元件(102)，其由多个多晶硅电阻体单元(10)构成；第一金属膜(103)，其以分别单独覆盖多个多晶硅电阻体单元(10)的方式被分割成多个；一体的第二金属膜(104)，其覆盖泄漏电阻电路元件(102)整体；以及氮化硅膜(105)，其形成于第二金属膜(104)上，多个第一金属膜(103)分别由覆盖多晶硅电阻体单元(10)中的电极部(10A)的部分和覆盖电极部(10A)以外的部分构成，覆盖电极部(10A)以外的第一金属膜(103)与各自覆盖的多晶硅电阻体单元(10)电连接。能够防止氢进入到泄漏电阻电路整体，抑制构成泄漏电阻电路的每个电阻体单元的电阻值调制偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 多晶硅电阻 泄漏电阻 体单元 半导体装置 电路元件 覆盖电极 覆盖 电路 电阻体单元 氮化硅膜 电极部 电连接 电阻 调制 分割 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：衬底；泄漏电阻电路元件，其形成于所述衬底的一个主面侧，由多个多晶硅电阻体单元构成；第一金属膜，其以分别单独覆盖所述多个多晶硅电阻体单元的方式被分割成多个；一体的第二金属膜，其在所述第一金属膜上覆盖所述泄漏电阻电路元件整体；以及氮化硅膜，其形成于所述第二金属膜上，多个所述第一金属膜分别由覆盖所述多晶硅电阻体单元中的电极部的部分和覆盖电极部以外的部分构成，覆盖所述电极部以外的所述部分与各自覆盖的所述多晶硅电阻体单元电连接。
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