[发明专利]一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810201506.7 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN108400232B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张睿;曾思雨;赵毅 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/22 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件及其制造方法。该压力传感器件包括n型掺杂的锗衬底，锗衬底上表面设置绝缘层，绝缘层上开有贯穿的接触电极凹槽和测试电极凹槽，接触电极凹槽和测试电极凹槽下方的锗衬底中分别设置n型重掺杂区域和镍锗合金区域，镍锗合金区域和锗衬底构成镍锗合金/锗肖特基结结构，镍锗合金区域上设置测试电极，n型重掺杂区域上设置接触电极；本发明利用应变状态下锗材料的能带变化形成势垒高度不同的镍锗硅合金/锗肖特基结，从而改变镍锗硅合金/锗肖特基结在反偏压状态下的电阻，实现压力值的传感。本发明传感器具有灵敏度高、器件尺寸小、易于在集成电路芯片中集成等优势，应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 合金 锗肖特基结 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件，其特征在于，包括n型掺杂的锗衬底，锗衬底上表面设置绝缘层，绝缘层上开有贯穿的接触电极凹槽和测试电极凹槽，接触电极凹槽和测试电极凹槽下方的锗衬底中分别设置n型重掺杂区域和镍锗合金区域，镍锗合金区域和锗衬底构成镍锗合金/锗肖特基结结构，镍锗合金区域上设置测试电极，n型重掺杂区域上设置接触电极。
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