[发明专利]STT-MRAM存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种STT‑MRAM存储器及其制备方法。该STT‑MRAM存储器包括：字线，包括层叠设置的导电层和磁性屏蔽层，磁性屏蔽层的磁化方向为字线的延伸方向；多个MTJ单元，各MTJ单元均包括顺序层叠设置的固定层、第一隔离层、自由层、第二隔离层与极化层，各极化层均与磁性屏蔽层接触设置，且极化层的磁化方向与自由层的磁化方向垂直。由于字线中的磁性屏蔽层能够与各极化层接触设置，从而相比于极化层能够具有较大的尺寸，使极化层的杂散场受到约束，且极化层与磁性屏蔽层具有相同磁化方向，从而显著降低了由极化层在自由层处产生的磁场，进而在引入极化层自旋转移力矩降低写电流的同时，有效地避免了极化层磁场的不利影响。

主权项

1.一种STT‑MRAM存储器，其特征在于，所述STT‑MRAM存储器包括：字线(20)，包括层叠设置的导电层(220)和磁性屏蔽层(210)，所述磁性屏蔽层(210)的磁化方向为所述字线(20)的延伸方向；多个MTJ单元(10)，各所述MTJ单元(10)均包括顺序层叠设置的固定层(120)、第一隔离层(130)、自由层(140)、第二隔离层(150)与极化层(160)，各所述极化层(160)均与所述磁性屏蔽层(210)接触设置，且所述极化层(160)的磁化方向与所述自由层(140)的磁化方向垂直。