[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜的制备方法有效
申请号: | 201810202954.9 | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN108550642B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 沈韬;柴鲜花;朱艳;甘国友;青红梅 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明涉及一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,属于功能薄膜材料技术领域。本发明按铜源、锌源、锡源、硫源的摩尔比为(1~2):(1~2):(1~2):(4~10)加入到有机溶剂中,经过搅拌、超声处理得到前驱体溶液;超声清洗并真空干燥FTO导电玻璃或硅片;在FTO导电玻璃或硅片上旋涂前驱体溶液并在温度为60~90℃条件下真空干燥6~10 h,然后重复旋涂3~6次前驱体溶液并真空干燥得到CZTS膜前体;将CZTS膜前体进行退火处理;将退火处理的CZTS膜进行微波优化处理即得CZTS薄膜。本发明方法具有工艺简单、反应装置简单、反应速度快、成本低、成膜质量好等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜锌锡硫 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种铜锌锡硫薄膜的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)按铜源、锌源、锡源、硫源的摩尔比为(1~2):(1~2):(1~2):(4~10)加入到有机溶剂中,经过搅拌、超声处理得到前驱体溶液;(2)超声清洗并真空干燥FTO导电玻璃或硅片;(3)在步骤(2)的FTO导电玻璃或硅片上旋涂步骤(1)的前驱体溶液并在温度为60~90℃条件下真空干燥6~10 h,然后重复旋涂3~6次步骤(1)的前驱体溶液并真空干燥得到CZTS膜前体;(4)将步骤(3)所得CZTS膜前体进行退火处理;(5)将步骤(4)所得退火处理的CZTS膜进行微波优化处理即得CZTS薄膜。
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