[发明专利]一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法在审
| 申请号： | 201810202995.8 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108493765A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 薛正群;吴林福生;黄章挺;杨重英;邓仁亮;李敬波;高家敏;苏辉 | 申请（专利权）人： | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/12 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350003 福建省福州市鼓楼*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法，采用的外延片为光通信波段InP基半导体激光器外延片，其外延片结构为InP衬底、InP缓冲层、禁带宽度和折射率渐变的InGaAsP下波导层、InGaAsP多量子阱有源区、InGaAsP上波导层、P‑InP和P‑InGaAsP过渡层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP保护层。对一次外延片进行全息光栅制备，以及再生长，并进行激光器脊型制备，采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法制备倾斜的出光端面。本发明采用干法刻蚀结合湿法腐蚀的方法来形成激光器的出光端面；由于倾斜的出光端面使得FP在腔面反馈的增益减小，从而降低了对镀膜条件的要求，提高了单模出光的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 激光器 出光端面 刻蚀半导体 干法刻蚀 结合湿法 半导体激光器外延片 多量子阱有源区 腐蚀 光通信波段 外延片结构 折射率渐变 镀膜条件 全息光栅 上波导层 下波导层 一次外延 增益减小 保护层 成品率 光栅层 过渡层 空间层 外延片 再生长 衬底 单模 脊型 禁带 腔面 反馈 | ||
【主权项】：
1.一种端面刻蚀半导体激光器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤S1：采用光通信波段InP基半导体激光器外延片作为所述端面刻蚀半导体激光器一次外延片；步骤S2：对步骤S1中的一次外延片进行全息光栅制备以及再生长；步骤S3：采用湿法腐蚀工艺制备半导体激光器的脊型波导，接着采用干法刻蚀脊型波导形成出光端面，接着采用湿法腐蚀出光端面修复损伤层，形成倾斜的出光端面；步骤S4：进行半导体激光器的后续制作，得到完整的端面刻蚀半导体激光器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建中科光芯光电科技有限公司，未经福建中科光芯光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810202995.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
