[发明专利]大口径CZ单晶的生长装置及其生长方法有效
| 申请号： | 201810203214.7 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108570706B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 堀冈佑吉;藤原航三;福田哲生 | 申请（专利权）人： | FTB研究所株式会社;国立大学法人东北大学;国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波;李永虎 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将温度传感器的光路设置成通过结晶生长炉的观察窗，瞄准坩埚内面与熔融液表面相内接的边界部位，在结晶生长进行的期间监视经过光电变换的来自传感器的电信号，获取该边界部位的温度变化，由此将该部位的温度抑制在一定范围，以便能进行稳定的结晶生长。对于结晶生长，过冷的推进使得始于坩埚(8)的壁的结晶生长变得不适合于大型结晶生长。对于坩埚(8)的壁与熔融液(13)的边界线(9)的温度，使温度传感器(1)通过观察窗(11)瞄准边界线(9)来监视温度，在始于坩埚(8)的壁的结晶生长开始的温度区域跟前，通过从控制部(4)对电源(5)发送信号来对炉温度进行升温，能够抑制始于坩埚(8)的壁的结晶生长，安全地生长大口径结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 口径 cz 生长 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶生长方法，其特征在于，在单晶生长炉中，利用温度计测传感器来测定炉内坩埚壁与熔融液的边界的温度。
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