[发明专利]用于透射电镜原位通电芯片的拥有纳米级间距小电极的材料测试单元制备方法有效
| 申请号： | 201810203499.4 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108470777B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 成岩;黄荣;齐瑞娟 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 31215 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于透射电镜原位通电芯片的拥有纳米级间距小电极的材料测试单元制备方法，其材料测试单元由小尺寸的金属层、绝缘层、测试材料和保护层构成，制备方法采用聚焦离子束(FIB)技术，通过刻蚀在SiO | ||
| 搜索关键词： | 材料测试 测试材料 制备 金属层 小电极 通电 金属电极 透射电镜 芯片 纳米级 绝缘层 微观结构变化 覆盖保护层 聚焦离子束 单元提取 电学性能 纳米尺度 纳米量级 保护层 衬底 可用 刻蚀 填充 研究 | ||
【主权项】：
1.一种用于透射电镜原位通电芯片的拥有纳米级间距小电极的材料测试单元制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：/n1）选用硅片作为衬底，并将Si衬底清洗处理干净；/n2）利用热氧化工艺，在Si衬底表面制备出500-1000 nm的SiO
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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