[发明专利]基本无缺陷的多晶硅栅极阵列有效
| 申请号： | 201810204480.1 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108573864B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 杨珩;艾哈迈德·哈森;丹尼尔·德契恩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及基本无缺陷的多晶硅栅极阵列，其中，单关键掩膜流程及相关结构消除在多晶硅栅极阵列的端部形成窄多晶硅缺陷，且无需实施复杂的基本规则及设计后填充方法来避免生成该缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 基本 缺陷 多晶 栅极 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成多晶硅层；直接在该多晶硅层上方形成芯轴的阵列，该阵列包括具有内侧壁及外侧壁的一对端部芯轴；在该芯轴的阵列上方沉积间隙壁材料的共形层；在该共形层上方及该芯轴之间沉积介电层；以及在该介电层上方形成掩蔽层，其中，该掩蔽层的部分沿与该芯轴的宽度方向(W)平行的方向与各该端部芯轴的该外侧壁横向隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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