[发明专利]覆盖膜及半导体元件表面的绝缘层的制作方法有效
| 申请号： | 201810204635.1 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110117418B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 林圣钦;吴耀明;陈彦翔;陈忆明 | 申请（专利权）人： | 台虹科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C08L79/08 | 分类号： | C08L79/08;C08J5/18;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 关宇辰 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种覆盖膜及半导体元件表面的绝缘层的制作方法，包括离型层以及设置于离型层上的聚酰亚胺层，聚酰亚胺层包括相对设置的内表面和外表面，外表面直接暴露于大气中，聚酰亚胺层经由包括二胺单体和四羧酸二酐单体的一聚酰亚胺组成物反应所形成，且该聚酰亚胺层还包括架桥剂以及起始剂，其中该二胺单体选自总碳数大于等于36的脂肪族二胺单体，且在温度介于60℃至160℃之间时，聚酰亚胺层的最低粘度小于20000Pa·s。本发明覆盖膜的聚酰亚胺层易薄型化、介电性质佳、杨氏模数低。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 半导体 元件 表面 绝缘 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种覆盖膜，其特征在于，包括：一离型层；以及一聚酰亚胺层，设置于该离型层上，该聚酰亚胺层包括相对设置的一内表面和一外表面，该外表面直接暴露于大气中，该聚酰亚胺层经由包括二胺单体和四羧酸二酐单体的一聚酰亚胺组成物反应所形成，其中该二胺单体选自总碳数为36以上的脂肪族二胺单体，且在温度介于60℃至160℃之间时，该聚酰亚胺层的最低粘度小于20000Pa·s。
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