[发明专利]影像感测装置在审
申请号: | 201810204887.4 | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN109768057A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 魏嘉余;林彦良;李国政;黄薰瑩;陈信吉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种影像感测装置,包含半导体基材、辐射感测元件、元件层和沟渠隔离。半导体基材具有前侧表面和与前侧表面相对的背侧表面。辐射感测元件设置于半导体基材的光感测区中且从半导体基材的前侧表面延伸出,此辐射感测元件包含带隙能量小于1.77电子伏特的半导体材料。元件层位于半导体基材的前侧表面及辐射感测元件上。沟渠隔离设置于半导体基材的隔离区中且从半导体基材的背侧表面延伸出。 | ||
搜索关键词: | 半导体基材 感测元件 前侧表面 辐射 影像感测装置 背侧表面 元件层 沟渠 半导体材料 带隙能量 隔离设置 光感测区 隔离区 延伸 隔离 | ||
【主权项】:
1.一种影像感测装置,其特征在于,包含:一半导体基材,具有一前侧表面和与该前侧表面相对的一背侧表面;一辐射感测元件,设置于该半导体基材的一光感测区中且从该半导体基材的该前侧表面延伸出,其中该辐射感测元件包含一半导体材料,该半导体材料具有小于1.77电子伏特的一带隙能量;一元件层,位于该半导体基材的该前侧表面及该辐射感测元件的上方;以及一沟渠隔离,设置于该半导体基材的一隔离区中且从该半导体基材的该背侧表面延伸出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的