[发明专利]材料表面金属图案的激光直写预成形光催化镀制备方法有效
申请号: | 201810205131.1 | 申请日: | 2018-03-13 |
公开(公告)号: | CN108441843B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 刘雪峰;刘敏 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C23C18/18 | 分类号: | C23C18/18;C23C18/32;C23C18/38;C23C18/42 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种材料表面金属图案的激光直写预成形光催化镀制备方法,属于材料表面处理技术领域。本发明将激光直写技术与光催化镀技术相结合,在激光直写蚀刻预成形高精度纳米半导体薄膜图案的基础上,进行光催化镀制备高质量金属图案。本发明的材料表面金属图案的激光直写预成形光催化镀制备方法绿色环保、流程短、节约金属、高效、低成本,具有普适性和高的稳定性,制备得到的金属图案尺寸精度高、镀层表面质量好、与基体结合强度高、性能优异。 | ||
搜索关键词: | 材料 表面 金属 图案 激光 直写预 成形 光催化 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种材料表面金属图案的激光直写预成形光催化镀制备方法,其特征在于,制备工艺为:(1)在激光直写系统的控制计算机中输入设计图案的形状尺寸数据,设置激光器频率、功率和激光扫描路径、扫描速度、扫描次数,确定基体材料表面激光直写蚀刻区域及蚀刻深度;(2)将表面沉积了纳米半导体薄膜的基体材料放置于激光直写系统的工作平台上,使纳米半导体薄膜表面对着激光光源,并对蚀刻区域进行定位及对焦;(3)启动激光直写程序,对蚀刻区域内的纳米半导体薄膜进行直写蚀刻,在基体材料表面制备得到与设计图案形状尺寸相同的纳米半导体薄膜图案;(4)将激光直写蚀刻后的基体材料浸入清洗剂中,超声清洗1~40min去除基体材料表面残留的粉末;(5)将清洗后的基体材料浸入化学镀液中,使纳米半导体薄膜图案对着波长为200~580nm的催化光源;(6)打开催化光源,使用正光催化或背光催化方式光照1~15min,在纳米半导体薄膜图案表面发生光催化氧化还原反应,使镀液中的金属离子被还原成单质金属或合金沉积在纳米半导体薄膜图案表面,生成与设计图案形状尺寸一致的初生金属镀层;(7)继续在镀液中以初生金属镀层为活化中心进行自催化化学镀,反应时间为0~120min,实现初生金属镀层在镀液中的连续生长,最终在基体材料表面制备得到所需厚度和形状尺寸的高质量金属图案;(8)将表面镀覆了金属图案的基体材料取出,洗涤后晾晒或吹干,即完成了基体材料表面金属图案的制备。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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