[发明专利]一种禁带宽度可调的锡酸锶钴薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810206083.8 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108409318A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 高相东;高东升;李效民;张彤彤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622;C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种禁带宽度可调的锡酸锶钴薄膜的制备方法，使用锡酸锶钴陶瓷作为靶材结合脉冲激光沉积技术制备锡酸锶钴薄膜，制备锡酸锶钴陶瓷包括：按照原子摩尔比Sr：Sn：Co=1：（1‑x）：x将锶源、锡源和钴源混合后，在800～1200℃预烧，得到预烧粉体，其中，0＜x＜1；将预烧粉体进行研磨，加入粘结剂，制成坯体；以及述坯体在1000～1400℃下煅烧，得到锡酸锶钴陶瓷。可实现对锡酸锶钴外延薄膜光学透过率和能带带隙宽度的可控调节。 | ||
| 搜索关键词： | 锡酸锶 制备 钴薄膜 陶瓷 宽度可调 预烧粉体 禁带 坯体 脉冲激光沉积技术 光学透过率 外延薄膜 研磨 摩尔比 粘结剂 靶材 带隙 可控 锡源 预烧 煅烧 钴源 锶源 | ||
【主权项】：
1.一种锡酸锶钴陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：按照原子摩尔比Sr：Sn：Co=1：（1‑x）：x将锶源、锡源和钴源混合后，在800～1200℃预烧，得到预烧粉体，其中，0＜x＜1；将所述预烧粉体进行研磨，加入粘结剂，制成坯体；以及将所述坯体在1000～1400℃下煅烧，得到所述锡酸锶钴陶瓷。
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