[发明专利]射频收发机中的多晶硅纳米薄膜热电偶微型能量收集器在审
申请号: | 201810208090.1 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108447876A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 廖小平;严嘉彬 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的射频收发机中的多晶硅纳米薄膜热电偶微型能量收集器,主要由衬底、水平放置的热电堆和散热金属板构成;其中,硅衬底的特定区域通过深反应离子刻蚀技术刻孔,作为上方第一氮化硅薄膜8的支撑结构和传热结构;热电堆的一端位于硅衬底上,另一端位于薄膜结构的中央;热电堆是由许多热电偶串联而成,而每个热电偶又由N型多晶硅纳米薄膜和P型多晶硅纳米薄膜构成,因多晶硅纳米薄膜的热导率远低于传统体材料,提高了器件的热电转换效率;两个半导体臂之间采用Au作为互联金属,同时制作了多个测试电极;在热电堆的上方,通过牺牲层释放制作出的空腔结构,空腔的上方为金属板,与热电堆之间隔有第二氮化硅薄膜。 | ||
搜索关键词: | 热电堆 多晶硅纳米薄膜 热电偶 氮化硅薄膜 能量收集器 射频收发机 纳米薄膜 硅衬底 深反应离子刻蚀 热电转换效率 热电偶串联 散热金属板 半导体臂 薄膜结构 测试电极 传热结构 互联金属 空腔结构 支撑结构 传统体 金属板 热导率 牺牲层 衬底 空腔 释放 制作 | ||
【主权项】:
1.一种射频收发机中的多晶硅纳米薄膜热电偶微型能量收集器,其特征是:该微型能量收集器(1)主要由衬底(7)、水平放置的热电堆和散热金属板(13)构成;其中,衬底(7)的中心区域被去除,周围部分作为上方第一氮化硅薄膜(8)的支撑结构和传热结构;热电堆的一端位于衬底(7)上,另一端位于薄膜结构的中央,有效实现了热电堆冷热结点之间的热绝缘;热电堆是由许多热电偶串联而成,制作了多个测试电极(14);在热电堆的上方,通过牺牲层释放制作出的空腔结构,空腔的上方为散热金属板(13),与热电堆之间隔有第二氮化硅薄膜(12)以实现绝缘;微型能量收集器(1)的热电堆是由N型多晶硅纳米薄膜(9)和P型多晶硅纳米薄膜(10)串联而成,多晶硅纳米薄膜通过外延技术生长而成,厚度为1‑100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的