[发明专利]超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件

摘要

本发明涉及超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件。用于选择性地蚀刻衬底上的层的衬底处理系统包括上室区域、围绕上室区域布置的感应线圈和包括衬底支撑件以支撑衬底的下室区域。气体分配装置布置在上室区域和下室区域之间并且包括具有多个孔的板。冷却充气室冷却气体分配装置，并且吹扫气体充气室将吹扫气体引导到下室中。孔的表面积与体积之比大于或等于4。控制器选择性地将蚀刻气体混合物供应到上室并将吹扫气体供应到吹扫气体充气室，并且在上室中激励等离子体以相对于衬底的至少一个其他暴露层选择性地蚀刻衬底的层。

主权项

1.一种用于选择性地蚀刻衬底上的层的衬底处理系统，其包括：上室区域；围绕所述上室区域布置的感应线圈；包括用于支撑衬底的衬底支撑件的下室区域；气体分配装置，所述气体分配装置布置在所述上室区域和所述下室区域之间并且包括具有与所述上室区域和所述下室区域流体连通的多个孔的板，其中所述孔的表面积与体积之比大于或等于4；RF发生器，其用于向所述感应线圈供应RF功率；气体输送系统，其用于选择性地供应气体混合物；以及控制器，所述控制器被配置为使所述气体输送系统选择性地将蚀刻气体混合物供应至所述上室并在所述上室中激励等离子体以相对于所述衬底的至少一个其他暴露层选择性蚀刻所述衬底的层。