[发明专利]一种可调控的掺杂纳米晶可饱和吸收体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810208340.1 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108574197A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 冯国英;宁守贵;张弘;周寿桓 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01S3/11 | 分类号： | H01S3/11;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调控、结构紧凑、工艺简单、周期短、生产成本低、用于红外激光器中，基于掺杂纳米晶的可饱和吸收体及其制备方法。该可调控掺杂纳米晶可饱和吸收体可对入射激光实现减反射的同时，还可以实现对红外激光的可饱和吸收，通过改变外加电场、温度场和膜层中的掺杂纳米晶粒的尺寸，可以调控激光器的输出性能。本发明所述的可调控的掺杂纳米晶可饱和吸收体主要由折射率2.5~3且掺杂有过渡金属离子的Ⅱ‑Ⅵ族化合物材料和折射率为1.3~2的氟化物材料组成。该可饱和吸收体性能稳定、便于调控，结构紧凑简单、损耗低、损伤阈值高，可用于高功率激光器中，输出可调控的高峰值功率调Q脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 可调控 掺杂 可饱和吸收体 纳米晶 可饱和吸收 折射率 制备 高功率激光器 过渡金属离子 氟化物材料 高峰值功率 红外激光器 生产成本低 红外激光 纳米晶粒 入射激光 输出性能 外加电场 族化合物 调Q脉冲 激光器 减反射 温度场 调控 可用 膜层 损伤 输出 | ||
【主权项】：
1.一种可调控的掺杂纳米晶可饱和吸收体及其制备方法，包括基底（1）、镀在所述基底（1）上表面依次层叠并掺杂过渡金属离子的高折射率膜层（2），所述相邻两层高折射率膜层（2）之间设有一层低折射率膜层（3），镀在远离基片最顶层的低折射率膜层表面的电极（4）以及镀在基底（1）表面高折射膜层上的电极（5）。
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