[发明专利]一种单晶硅光伏电池表面织构结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810208957.3 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108346708B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 闫平平 | 申请（专利权）人： | 宇泽(江西)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/04;H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 11421 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人： | 史炜炜 |
| 地址： | 336000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明创造涉及一种单晶硅光伏电池表面织构结构，为一种形成在单晶硅{111}晶面上的绒面表面织构，所述绒面表面织构由微米或纳米尺度、具有正三棱锥形状特征的硅微柱或硅微坑所构成，所述正三棱锥的三个侧面由相同的等腰三角形组成。本发明还提供了一种单晶硅光伏电池表面织构结构的制备方法。本发明的单晶硅光伏电池表面织构结构在{111}晶面上形成了正三棱锥的绒面，其具有表面反射率低和光电转换率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅光伏电池 表面织构 正三棱锥 绒面表面 织构 制备 单晶硅 表面反射率 等腰三角形 光电转换率 纳米尺度 形状特征 绒面 微坑 微柱 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅光伏电池表面织构结构，为一种形成在单晶硅{111}晶面上的绒面表面织构，所述绒面表面织构由微米或纳米尺度、具有正三棱锥形状特征的硅微柱或硅微坑所构成，其特征在于：该表面织构结构的制备包括以下步骤：/n步骤一：形成初步绒面结构：借助黑硅技术在{111}晶面单晶硅片表面制备出微米或纳米尺度的凸起或凹坑绒面；/n步骤二：用稀释的碱性腐蚀液选择性腐蚀修饰步骤一形成的凸起或凹坑绒面的侧壁，使凸起或凹坑绒面的暴露晶面以{111}晶面族为主，形成微米或纳米尺度的具有正三棱锥形状特征的硅微柱或硅微坑。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇泽(江西)半导体有限公司，未经宇泽(江西)半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810208957.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
