[发明专利]形成具取代金属栅极与接触的场效晶体管的方法及其结构

摘要

本发明涉及形成具取代金属栅极与接触的场效晶体管的方法及其结构，在形成集成电路(IC)结构的方法中，集成电路结构将多个场效晶体管(FET)与离散的取代金属栅极(RMG)及取代金属接触(RMC)合并，于相同程序层级形成栅极切口沟槽与接触切口沟槽。然后，同时用相同隔离材料填充沟槽，以分别形成电隔离相邻RMG的栅极切口隔离区及电隔离相邻RMC的接触切口隔离区。所选择的隔离材料就最佳效能而言，可是低K隔离材料。再者，由于是将相同程序步骤用于填充两种类型的沟槽，只需单一化学机械抛光(CMP)程序，将隔离材料从栅极层阶上面移除，以使栅极高度损耗与制程变异降到最小。本文中还揭示一种根据本方法所形成的IC结构。

主权项

1.一种方法，其包含：在介于第一栅极与第二栅极之间的接口处穿过栅极材料形成第一沟槽，其中，该第一栅极在侧向置于诸第一源极/漏极区之间的第一通道区处相邻于第一半导体本体，并且其中，该第二栅极在侧向置于诸第二源极/漏极区之间的第二通道区处相邻于第二半导体本体；穿过将介于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的空间填充的牺牲材料形成第二沟槽，其中，该牺牲材料包覆所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区，并且将介于任何相邻源极/漏极区之间的空间填充；沉积隔离材料，使得该隔离材料将用以形成第一隔离区的该第一沟槽及用以形成第二隔离区的该第二沟槽两者填充；以及进行抛光程序以将该隔离材料从该第一栅极与该第二栅极上面移除。