[发明专利]提高GaN欧姆接触性能的方法、欧姆接触结构及应用有效
| 申请号： | 201810209232.6 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110277311B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 董超;王建峰;徐科;金晶 | 申请（专利权）人： | 上海大学;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/268;H01L29/45 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高GaN欧姆接触性能的方法、欧姆接触结构及应用。所述方法包括：于非故意掺杂GaN材料上形成非晶Si层或金属Ge层；以激光辐照所述非晶Si层或金属Ge层的选定区域，以使所述选定区域内的非晶Si或金属Ge从所述非故意掺杂GaN材料的表面向内部扩散，从而至少在所述非故意掺杂GaN材料的表层区域形成n型掺杂区域。本发明使制备的GaN材料的Ga面欧姆接触更易形成，且比接触电阻率降低、热稳定性好，从而使GaN材料更易于用在新型半导体器件中；同时工艺操作简单，制作速度快，激光参数易于控制，不产生环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 gan 欧姆 接触 性能 方法 结构 应用 | ||
【主权项】：
1.一种提高GaN欧姆接触性能的方法，其特征在于包括：于非故意掺杂GaN材料上形成非晶Si层或金属Ge层；以激光辐照所述非晶Si层或金属Ge层的选定区域，以使所述选定区域内的非晶Si或金属Ge从所述非故意掺杂GaN材料的表面向内部扩散，从而至少在所述非故意掺杂GaN材料的表层区域形成n型掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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