[发明专利]一种谐振式压力传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201810209589.4 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108507709B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 许高斌;胡海霖;陈兴;马渊明;王超超 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 34114 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) | 代理人： | 彭超 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种谐振式压力传感器及其制作方法，所涉及的谐振器采用基于SOI硅基的硅梳齿双端固定音叉结构的谐振器结构。谐振器内部通过两块压阻材料(经过工艺掺杂后的硅)和两个等效电阻(未掺杂的硅)形成惠斯通电桥，通过压力变化改变压阻材料的阻值变化从而检测谐振频率的变化。并基于硅岛结构，设计出压力传感器结构，将在压力敏感薄膜上的形变通过硅岛结构转化为谐振器方向上的平面振动，不仅降低了传感器的机械耦合，提高了品质因数，而且测量范围更广，可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振式压力传感器 硅岛结构 压阻材料 谐振器 压力传感器结构 压力敏感薄膜 惠斯通电桥 谐振器方向 谐振器结构 等效电阻 固定音叉 机械耦合 品质因数 平面振动 谐振频率 阻值变化 未掺杂 形变 传感器 硅基 梳齿 双端 制备 掺杂 测量 检测 制作 转化 | ||
【主权项】：
1.一种谐振式压力传感器，其特征在于，包括：矩形的底层SOI晶圆(112)，所述底层SOI晶圆(112)呈回字形，中部设有空腔；所述空腔的底部设有一层压力检测敏感薄膜(101)；所述空腔内设有四个位置相互对称的硅岛(104)，所述硅岛(104)与所述压力检测敏感薄膜(101)的顶面固定连接；四个硅岛(104)的顶部悬有谐振器(211)；所述底层SOI晶圆(112)的四角均设有接触焊盘(202)，每个接触焊盘(202)依次通过L型轨道(206)和S型弯曲轨道(205)与所述谐振器(211)连接；/n所述谐振器(211)整体为对称结构，包括两个压敏电阻(209)、两个感测压力变化的质量块(208)、四块谐振器固定端(203)、八根支撑梁(210)以及两个梳状电容器(207)；其中：/n两个压敏电阻(209)对称设置于所述谐振器(211)的正中位置；/n所述两个质量块(208)分别设置在两个压敏电阻(209)的两端；/n两个梳状电容器(207)分别设置在两个质量块(208)的两端；/n八根支撑梁(210)分别对两个质量块(208)进行支撑；/n四块谐振器固定端(203)分别固定在四个硅岛(104)的顶部，且分别与八根支撑梁(210)固定连接。/n
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