[发明专利]一种磁聚焦霍尔推力器长寿命设计下的磁路结构设计方法有效
| 申请号： | 201810209917.0 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108307576B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 于达仁;宁中喜;夏国俊;李鸿;朱悉铭;刘星宇 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H05H1/10 | 分类号： | H05H1/10 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 刘景祥 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁聚焦霍尔推力器长寿命设计下的磁路结构设计方法，属于霍尔推力器设计技术领域。所述方法首先将陶瓷放电通道壁面厚度、内磁屏和外磁屏的厚度均增加，提高推力器使用寿命，然后将陶瓷放电通道壁面后段调整为分段式结构或使减少陶瓷放电通道后段的陶瓷放电通道壁面的厚度，最终实现降低励磁效率损失。在设计结构中，内磁屏和外磁屏采用高导磁率、低热膨胀系数的软磁铁氧体材料替代DT4C纯铁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚焦 霍尔 推力 寿命 设计 磁路 结构设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁聚焦霍尔推力器长寿命设计下的磁路结构设计方法，其特征在于，所述方法为：首先将陶瓷放电通道壁面厚度、内磁屏和外磁屏的厚度均增加为各部件原有厚度的2倍，然后将陶瓷放电通道壁面后段调整为分段式结构或使减少陶瓷放电通道后段的陶瓷放电通道壁面的厚度，最终实现降低励磁效率损失。
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