[发明专利]一种浸泡制备模拟铯榴石源芯的方法有效
申请号: | 201810210649.4 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN108417286B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 文明芬;王建晨;陈靖 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G21F9/00 | 分类号: | G21F9/00;G21F9/12 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
一种浸泡制备模拟铯榴石源芯的方,属于核废料工业处理技术领域。本发明采用改性铝硅分子筛为基,添加少量的石墨,压制成型,浸泡吸附Cs,然后煅烧成型。该方法的步骤为:用HNO |
||
搜索关键词: | 一种 浸泡 制备 模拟 铯榴石源芯 方法 | ||
【主权项】:
1.一种浸泡制备模拟铯榴石源芯的方法,其特征在于该方法包括如下步骤:1)将改性铝硅分子筛和石墨粉末混合均匀,然后在3‑8MPa下压制成型,其中石墨占改性铝硅分子筛的5‑10%;2)将压制成型的固体在空气气氛下煅烧,去除石墨,得到预处理的样品;3)制备硝酸铯溶液;测定所述改性铝硅分子筛饱和吸附Cs的含量;取饱和吸附Cs含量的20‑100%的硝酸铯,,将预处理的样品浸泡到硝酸铯溶液中,静置吸附,取出后干燥,得到铯源芯前体;4)将步骤3)所得铯源芯前体在10‑15℃的速率升温到1000℃,保温2‑4小时,自然冷却到室温,即得到模拟铯榴石源芯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810210649.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。