[发明专利]半导体装置结构

摘要

提供半导体装置结构。半导体装置结构包括基板，其具有基底与第一鳍状结构于基底上。半导体装置结构包括隔离层于基底上。第一鳍状结构部分地位于隔离层中。半导体装置结构包括第一栅极结构，其位于第一鳍状结构上并横越第一鳍状结构。半导体装置结构包括第一源极结构与第一漏极结构，其位于第一鳍状结构上与第一栅极结构的两侧上。第一源极结构与第一漏极结构的组成为n型导电材料。半导体装置结构包括盖层，其覆盖第一源极结构与第一漏极结构。盖层掺杂IIIA族元素。

主权项

1.一种半导体装置结构，包括：一基板，具有一基底与一第一鳍状结构于该基底上；一隔离层，位于该基底上，其中该第一鳍状结构部分地位于该隔离层中；一第一栅极结构，位于该第一鳍状结构上并横越该第一鳍状结构；一第一源极结构与一第一漏极结构，位于该第一鳍状结构上与该第一栅极结构的两侧上，其中该第一源极结构与该第一漏极结构的组成为n型导电材料；以及一盖层，覆盖该第一源极结构与该第一漏极结构，其中该盖层掺杂IIIA族元素。