[发明专利]一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810213140.5 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108336135B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 姚日晖;郑泽科;宁洪龙;章红科;李晓庆;张啸尘;邓宇熹;周尚雄;袁炜健;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于显示器件技术领域，公开了一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Nd‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明在IZO半导体靶材中引入一定比例的Nd元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Nd‑IZO高载流子浓度有源层薄膜，结合超薄Al |
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| 搜索关键词： | 一种 钕铟锌 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管的有源层为Nd‑IZO。
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