[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201810213180.X | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN109727854B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 谢文硕;林志翰;刘得湧;蔡世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 鳍式场效晶体管的栅极隔离插塞的形成方法包含形成长形栅极，形成与长形栅极的第一和第二侧壁接触的第一和第二间隙物，使用第一蚀刻步骤和第二蚀刻步骤将长形栅极分离为第一栅极部分和第二栅极部分，以及在第一栅极部分与第二栅极部分之间形成栅极隔离插塞，其中栅极隔离插塞的长度大于第一栅极部分或第二栅极部分的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一长形栅极；形成与该长形栅极的一第一侧壁和一第二侧壁接触的一第一间隙物和一第二间隙物；使用一第一蚀刻步骤和一第二蚀刻步骤将该长形栅极分离为一第一栅极部分和一第二栅极部分；以及在该第一栅极部分与该第二栅极部分之间形成一栅极隔离插塞，其中该栅极隔离插塞的长度大于该第一栅极部分或该第二栅极部分的长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
