[发明专利]一种III-V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法有效
| 申请号： | 201810213367.X | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110277731B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 黄卫平;曲莫;李俣;冯佩 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/22 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种III‑V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器及集成方法，属于激光器技术领域，激光发光装置从上而下包括有源层、硅层、二氧化硅衬底，有源层包括矩形端和梯形端，梯形端的长边与矩形端相连，矩形端和梯形端一体制造；硅层为矩形条，硅层一端设有开口通槽，开口通槽的底部设有凸脊，凸脊的水平投影为梯形，凸脊的长边与开口通槽的底部连接。光正向传输时从有源层耦合至硅层，引入低折射率双斜劈结构，配合有源层尾部为近锥形的梯形结构，实现有源层和硅层的相互耦合，整个耦合区长度小于5μm，最小可达到3μm，理论耦合效率大于99％，尺寸远小于同类激光器结构，可实现器件小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 族硅基低 折射率 缝隙 结构 dbr 激光器 集成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III‑V族硅基低折射率缝隙结构DBR激光器，其特征在于，从上而下包括有源层、硅层、二氧化硅衬底；有源层包括矩形端和梯形端，梯形端的长边与矩形端相连，矩形端和梯形端一体制造；硅层为矩形条，硅层一端设有开口通槽，开口通槽的底部设有凸脊，凸脊的水平投影为梯形，凸脊的长边与开口通槽的底部连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810213367.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
