[发明专利]一种带外选择性可调毫米波滤波器有效
| 申请号： | 201810213424.4 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN108461878B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 万晶;梁晓新 | 申请（专利权）人： | 昆山鸿永微波科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 李猛 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市玉山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带外选择性可调毫米波滤波器，包括：硅腔谐振单元5、硅腔谐振单元6以及选择性可调单元7，所述硅腔谐振单元5和硅腔谐振单元6分别由贯穿于上层金属层1、高阻硅介质层2以及底层金属层3的深硅刻蚀通孔501和601阵列排布组成，选择性可调单元7由刻蚀在底层金属层3上的半波长缺陷环谐振单元701、半波长缺陷环谐振单元702和贯穿部分高阻硅介质层2以及底层金属层3的浅硅刻蚀通孔703组成，选择性可调单元7所采用电路结构、通孔布局和工艺层设计，使得该毫米波滤波器高频和低频带外抑制度分别单独可调互不影响，且90度旋转其方向可以展宽该毫米波滤波器带宽，增大高频带外抑制度，使得该毫米波滤波器具有优良可调的带外抑制度。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振单元 毫米波滤波器 硅腔 底层金属层 可调单元 可调 刻蚀 通孔 高阻硅介质 半波长 缺陷环 带外抑制度 上层金属层 电路结构 阵列排布 低频带 高频带 工艺层 可调的 贯穿 带宽 | ||
【主权项】：
1.一种带外选择性可调毫米波滤波器，其特征在于，包括：在上层金属层(1)、高阻硅介质层(2)以及底层金属层(3)上形成的硅腔谐振单元(5)、硅腔谐振单元(6)以及选择性可调单元(7)，所述上层金属层(1)位于高阻硅介质层(2)上方，所述底层金属层(3)位于高阻硅介质层(2)下方；所述硅腔谐振单元(5)由贯穿于上层金属层(1)、高阻硅介质层(2)以及底层金属层(3)的深硅刻蚀通孔(501)阵列排布组成，深硅刻蚀通孔(501)的半径R、深硅刻蚀通孔(501)之间的间隙Rg、深硅刻蚀通孔(501)的阵列排布形状共同决定硅腔谐振单元(5)的谐振频率和差损；所述硅腔谐振单元(6)由贯穿于上层金属层(1)、高阻硅介质层(2)以及底层金属层(3)的深硅刻蚀通孔(601)阵列排布组成，深硅刻蚀通孔(601)的半径R、深硅刻蚀通孔(601)之间的间隙Rg、深硅刻蚀通孔(601)的阵列排布形状共同决定硅腔谐振单元(6)的谐振频率和差损；所述选择性可调单元(7)由刻蚀在底层金属层(3)上的半波长缺陷环谐振单元(701)、半波长缺陷环谐振单元(702)和贯穿部分高阻硅介质层(2)以及底层金属层(3)的浅硅刻蚀通孔(703)组成，其中半波长缺陷环谐振单元(701)决定该毫米波滤波器通带外低频处抑制度，半波长缺陷环谐振单元(702)决定该毫米波滤波器通带外高频处抑制度，浅硅刻蚀通孔(703)组成的阵列用于隔绝半波长缺陷环谐振单元(701)和半波长缺陷环谐振单元(702)之间的电磁耦合，使得高频和低频带外抑制度单独可调互不影响，浅硅刻蚀通孔(703)的半径r、浅硅刻蚀通孔(703)之间的间隙rg共同决定抗耦合程度；90度旋转选择性可调单元(7)，使得半波长缺陷环谐振单元(701)和(702)开口方向由左右转为上下，浅硅刻蚀通孔(703)阵列方向由垂直转为水平可以在通带内高频处产生一个传输极点，展宽该毫米波滤波器带宽的同时增大高频带外抑制度。
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