[发明专利]发光二极管芯片结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810216614.1 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108447955B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 曾江斌;何安和;洪灵愿;彭康伟;林素慧;张家宏 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 冯华 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括衬底、外延结构、台面结构、第一电流阻挡层、电流扩展层、第二电流阻挡层、第一P电极、分布布拉格反射层、第二P电极以及N电极。第一电流阻挡层形成于外延结构的部分表面，电流扩展层包裹第一电流阻挡层，第二电流阻挡层形成于电流扩展层表面且具有图案化的粗糙表面，分布布拉格反射层包裹第一P电极、第二电流阻挡层表面及外延结构侧壁。本发明通过具有图案化的粗糙结构的电流阻挡层，能大大增加电流扩展层与分布布拉格反射层的界面表面积，使分布布拉格反射层入射光散射增强，从而提升芯片亮度。同时，可增强该电流阻挡层与分布布拉格反射层的黏附性，提高结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电流阻挡层 分布布拉格反射层 电流扩展层 外延结构 发光二极管芯片结构 图案化 粗糙表面 粗糙结构 台面结构 入射光 黏附性 散射 侧壁 衬底 制作 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于：包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；局部凹陷区，位于部分所述第二导电型半导体层上，且向下延伸至所述第一导电型半导体层形成台面结构，所述台面结构露出有外延结构侧壁；第一电流阻挡层，形成于所述外延结构的部分表面；电流扩展层，包裹所述第一电流阻挡层，并与部分的所述外延结构表面接合；第二电流阻挡层，形成于所述电流扩展层表面，所述第二电流阻挡层具有图案化的粗糙表面，并具有显露所述电流扩展层的预留窗口；第一P电极，形成于所述预留窗口；分布布拉格反射层，包裹所述第一P电极表面、所述第二电流阻挡层表面及所述外延结构侧壁，且所述分布布拉格反射层中具有P电极通孔以及N电极通孔；第二P电极，形成于所述P电极通孔中，与所述第一P电极连接；以及N电极，形成于所述N电极通孔中，与所述第一导电型半导体层台面连接。
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