[发明专利]解耦系统和用于解耦系统的方法在审
申请号: | 201810216980.7 | 申请日: | 2018-03-16 |
公开(公告)号: | CN108695197A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | B·M·西亚德;N·P·赫卡索恩;D·海曼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种解耦系统,其包括被配置为跨越低压室的低压孔口耦合的偏转板。所述偏转板包括延伸通过偏转板的一个或多个真空孔。剥落凸缘在柔顺关节处与偏转板的其余部分耦合。管芯轮廓开口围绕剥落凸缘从柔顺关节以管芯轮廓的形状延伸。所述管芯轮廓开口将剥落凸缘与偏转板的其余部分分开。剥落凸缘包括放松构造和剥落构造,所述放松构造和剥落构造被配置为将管芯从管芯介质解耦。在放松构造中,所述剥落凸缘与所述偏转板的其余部分重合。在剥落构造中,剥落凸缘被偏转,并且凸缘的至少一部分与偏转板的其余部分间隔开。 | ||
搜索关键词: | 剥落 偏转板 凸缘 管芯轮廓 解耦系统 柔顺关节 管芯 放松 开口 偏转 耦合 低压孔 低压室 真空孔 耦合的 延伸 重合 解耦 配置 | ||
【主权项】:
1.一种解耦系统,包括:偏转板,所述偏转板被配置为跨越低压室的低压孔口耦合,所述偏转板包括:延伸通过所述偏转板的一个或多个真空孔,剥落凸缘,其在柔顺关节处与所述偏转板的其余部分耦合,并且所述剥落凸缘从所述柔顺关节延伸到凸缘端部,以及管芯轮廓开口,其围绕所述剥落凸缘从所述柔顺关节以管芯轮廓的形状延伸,所述管芯轮廓开口将所述剥落凸缘与所述偏转板的所述其余部分分开;并且其中,所述剥落凸缘包括放松构造和剥落构造,所述放松构造和所述剥落构造被配置为将管芯从管芯介质解耦:在所述放松构造中,所述剥落凸缘与所述偏转板的所述其余部分重合,并且在所述剥落构造中,所述剥落凸缘在所述柔顺关节处相对于所述偏转板的所述其余部分偏转,并且所述凸缘端部与所述偏转板的所述其余部分间隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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