[发明专利]一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810217430.7 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108258115A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王浩;陈钦;陈傲;马国坤;何玉立 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件及其制造方法。本发明的1S1R器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆阻变层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为100～300nm，所述阻变层的厚度为15～30nm，所述转换层的厚度为30～80nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm，所述阻变层、转换层和顶电极层均是采用磁控溅射的方法形成。本发明采用氧化锆作为阻变层，氧化铌选通管作为转换层，制得的基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件具有较大的非线性值，能够有效减小漏电流、可实现十字交叉阵列的高密度集成，因此非常具有发展潜力和应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变层 氧化铌 氧化锆 选通管 转换层 顶电极层 底电极层 高密度集成 磁控溅射 十字交叉 漏电流 减小 制造 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化铌选通管和氧化锆阻变层的1S1R器件，其特征在于：所述1S1R器件从下至上依次包括底电极层、阻变层、转换层和顶电极层，其中：所述底电极层为FTO、ITO、ZTO或TiN材料中的任一种，所述阻变层为氧化锆薄膜材料，所述转换层为氧化铌薄膜材料，所述顶电极层为Pt薄膜材料，所述的氧化铌为NbOx。
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