[发明专利]一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件及其制造方法。本发明的选通器件从下至上依次包括底电极层、氧化锆隧穿层、氧化铌转换层和顶电极层；所述底电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层的厚度为1～5nm，所述转换层的厚度为30～100nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层、转换层和顶电极层均是采用磁控溅射的方法形成。本发明在氧化铌转换层和底电极层之间增加了一层超薄的氧化锆隧穿层，氧化锆隧穿层有效减小了器件的操作电流和操作电压，可显著降低器件的使用功耗，增加高阻态电阻值，提升非线性度，因此，本发明制得的选通器件非线性值高，非常具有发展潜力和应用价值。

主权项

1.一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件，其特征在于：所述选通器件从下至上依次包括底电极层、隧穿层、转换层和顶电极层，其中：所述底电极层为FTO、ITO、ZTO或TiN材料中的任一种，所述隧穿层为氧化锆薄膜材料，所述转换层为氧化铌薄膜材料，所述顶电极层为Pt薄膜材料，所述的氧化铌为NbOx。