[发明专利]一种晶体六方氮化硼薄膜的制备方法

摘要

本发明属于材料技术领域，具体提供一种晶体六方氮化硼薄膜的制备方法，本发明采用射频磁控溅射法，通过腔体烘干过程有效排除了腔体内残余的氧杂质，避免了六方氮化硼的易潮解性，使其具备优良的稳定性，XRD衍射图谱和傅里叶红外光谱也显示出高度c轴择优取向特性和优良的结晶性；最终，本发明通过合理优化的衬底清洗过程及薄膜制备时的参数条件制备出高质量c轴择优取向的晶体六方氮化硼薄膜；且生产成本低、生长速率高。

主权项

1.一种晶体六方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.衬底表面清洗：采用Si衬底，先用10％浓度的HF酸浸泡10min，再用等离子水冲洗多次，再依次于丙酮及乙醇溶液中超声清洗15min以上；步骤2.腔体烘干：将Si衬底置于溅射腔室内，抽真空至腔室真空度达6×10‑4Pa以下，加热腔体至120℃并保持40min以上，然后加热衬底至250～350℃，并再次抽真空至腔室真空度达4.5×10‑4Pa以下；步骤3.预溅射过程：以纯度为99.99％的六方氮化硼为靶材，在溅射功率为200W、衬底偏压为‑220～‑260V、溅射气压为1.0～1.2Pa的纯氩气条件下预溅15min；步骤4.溅射过程：以纯度为99.99％的六方氮化硼为靶材，在溅射功率为100～300W、衬底偏压为‑45V、氮氩比为N2：Ar＝1：3、溅射气压为0.5～0.7Pa的条件下溅射120min；即制备得晶体六方氮化硼薄膜。