[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810217839.9 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108400216A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 赵炆兼;贾钊;杨凯;陈凯轩;张国庆 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 陈晓云 |
| 地址： | 225000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，包括：提供一外延片；在所述单晶层之上形成具有若干介质孔的介质层；在所述介质层之上依次形成镜面反射层和第一键合层，使所述镜面反射层与所述介质孔暴露的所述单晶层形成遂穿效应；将完成上述步骤的所述外延片与具有第二键合层的硅片对位贴位，使所述第一键合层和所述第二键合层键合；剥离所述外延片的衬底和截止层，使所述外延片的欧姆接触层形成电极；在所述硅片的与所述第二键合层相反的一面形成金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 键合层 外延片 镜面反射层 单晶层 介质层 介质孔 硅片 制备 欧姆接触层 电极 截止层 金属层 衬底 对位 键合 剥离 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供一外延片；在所述单晶层之上形成具有若干介质孔的介质层；在所述介质层之上依次形成镜面反射层和第一键合层，使所述镜面反射层与所述介质孔暴露的所述单晶层形成遂穿效应；将完成上述步骤的所述外延片与具有第二键合层的硅片对位贴位，使所述第一键合层和所述第二键合层键合；剥离所述外延片的衬底和截止层，使所述外延片的欧姆接触层形成电极；在所述硅片的与所述第二键合层相反的一面形成金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810217839.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光二极管芯片及其制作方法
- 下一篇：一种高效率LED芯片倒装封装方法
