[发明专利]一种碲化铂二维材料、制备及其电学器件中的应用有效

专利信息
申请号: 201810218839.0 申请日: 2018-03-16
公开(公告)号: CN108441963B 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 段曦东;段镶锋;马惠芳 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: H01L29/24 分类号: H01L29/24;H01L29/78;C30B29/46;C30B29/64;C30B25/00
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 盛武生;魏娟
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明属于纳米材料制备领域,具体公开了一种碲化铂二维材料,为碲化铂纳米片。本发明还提供了一种碲化铂二维材料的制备方法,将碲粉在不低于410℃的温度、铂粉在1000~1170℃的温度下挥发,将挥发的碲和铂在50~400sccm的载气流量、350‑720℃下化学气相沉积在基底表面,制得碲化铂纳米片。本发明还包括所述制备方法制得的碲化铂二维材料以及利用所述的碲化铂二维材料在光学器件,特别是PtTe2场效应晶体管中的应用。本发明制备的碲化铂纳米片形貌良好为六边形和三角形,厚度为2‑40nm,大小在1.5‑52μm,结晶性好,制备方法简单可行。
搜索关键词: 碲化 二维材料 制备 铂纳米片 挥发 形貌 场效应晶体管 化学气相沉积 纳米材料制备 六边形 电学器件 光学器件 基底表面 载气流量 结晶性 铂粉 碲粉 应用
【主权项】:
1.一种碲化铂二维材料的制备方法,其特征在于,将碲粉在不低于410℃的温度、铂粉在1000~1170℃的温度下挥发,将挥发的碲和铂在50~400sccm的载气流量、350‑720℃下化学气相沉积在基底表面,制得碲化铂二维材料;铂粉的粒径≤1μm;化学气相沉积时间为20‑40min。
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