[发明专利]使用用于非易失性存储器的受控弱升压的多状态编程

摘要

通过在单元各自的沟道中使用受控的状态依赖弱升压量来调节每个状态的编程速度来执行非易失性存储器单元的多状态编程(其中同时编程正在被编程为不同的目标状态的单元)。在一个示例中，在基于相应的存储器单元的目标状态的时间处通过使用多梯级字线斜坡、结合位线上的电压的提高，来控制沟道升压。

主权项

1.一种装置，包括：一个或多个NAND串，其具有沿字线连接的存储器单元，并且其中每个NAND串的存储器单元通过相应的选择栅极连接到相应的位线；和控制电路，连接到所述字线和位线，所述控制电路被配置为将连接到第一字线的多个存储器单元从初始状态同时编程到多个目标状态中的相应的一个目标状态；位线偏置电路，被配置为将与沿所述第一字线的未选择的存储器单元相对应的位线偏置到编程禁止电平，并且将与沿所述第一字线的选择的存储器单元相对应的位线偏置到低电源电平；字线偏置电路，被配置为将包括第一字线的一组一条或多条字线上的电压从低电源电平提高到第一电压电平；其中，当所述字线偏置电路正将所述一组一条或多条字线上的电压从所述低电源电平提高到所述第一电压电平时，所述位线偏置电路还被配置为将与选择的存储器单元相对应的字线上的电压从所述低电源电平提高到第二电压电平，所述第二电压电平基于所述一组一条或多条字线上的、取决于相应的选择的存储器单元的目标状态的上升电压的电平，所述第二电压电平具有足以截止相应的选择栅极的量，所述选择的存储器单元通过所述相应的选择栅极连接到相应的位线；和编程电路，被配置为随后将编程脉冲发送到所述第一字线。