[发明专利]声表面波材料及其制作方法在审
| 申请号： | 201810220554.0 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108494380A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王为标;毛宏庆;陆增天;李壮 | 申请（专利权）人： | 无锡市好达电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/10 | 分类号： | H03H3/10 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214124 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种声表面波材料及其制作方法，属于声表面波材料领域。该声表面波材料包括硅基底、在硅基底之上的硅基薄膜、以及在硅基薄膜之上的压电单晶薄膜；压电单晶薄膜为钽酸锂压电单晶薄膜或铌酸锂压电单晶薄膜；硅基薄膜的键合面或压电单晶薄膜的键合面或硅基底的键合面上制作有沟槽结构阵列；硅基薄膜的键合面、压电单晶薄膜的键合面、硅基底的键合面均为抛光面；解决了现有的多层键合压电材料体波影响声表面波，导致声表面滤波器高端抑制差的问题；达到了扩大多层键合压电材料的应用范围，保证声表面波滤波器的性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 压电单晶 薄膜 键合面 声表面波材料 硅基薄膜 硅基 键合 多层 制作 声表面波滤波器 声表面滤波器 压电材料体 沟槽结构 声表面波 压电材料 抛光面 钽酸锂 铌酸锂 高端 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波材料，其特征在于，包括硅基底、在所述硅基底之上的硅基薄膜、以及在所述硅基薄膜之上的压电单晶薄膜；所述压电单晶薄膜为钽酸锂压电单晶薄膜或铌酸锂压电单晶薄膜；所述硅基薄膜的键合面或所述压电单晶薄膜的键合面或所述硅基底的键合面上制作有沟槽结构阵列；所述硅基薄膜的键合面、所述压电单晶薄膜的键合面、所述硅基底的键合面均为抛光面。
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