[发明专利]一种制备Ga掺杂ZnO薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备Ga掺杂ZnO薄膜的方法，步骤如下：将Zn(CH3COO)2、CN2H4S、氨水溶于蒸馏水中，将Ga(NO3)3溶于蒸馏水中，加入上述溶液中，用氨水调节pH为10.4‑10.8，放入石英片，在72‑78℃下沉积25‑27h，沉积结束后取出，清洗，烘干，然后置于敞口管式炉中热氧化生长2‑3h，冷却即得。该方法简便、快捷、易操作，Ga的掺杂使ZnO薄膜的致密度提高，颗粒尺寸减小，同时改善了ZnO的化学计量比，氧空位相对含量随之减少，ZnO薄膜的紫外光与可见光强度比增大。

主权项

1.一种制备Ga掺杂ZnO薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：将20‑30份Zn(CH3COO)2、10‑20份CN2H4S、50‑60份氨水溶于85‑95份蒸馏水中，将7‑9份Ga(NO3)3溶于55‑65份蒸馏水中，溶解后加入上述溶液中，用氨水调节混合溶液pH为10.4‑10.8，将清洗干净的石英片放入混合液中，在72‑78℃下沉积25‑27h，沉积结束后取出，用去离子水冲洗干净薄膜表面黏附的沉淀颗粒，65‑75℃烘干，然后置于敞口管式炉中，在670‑690℃下热氧化生长2‑3h，冷却即得；各原料均为重量份。