[发明专利]一种降低晶圆研磨正面损伤方法在审
| 申请号： | 201810222303.6 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108417480A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低晶圆研磨正面损伤方法，包括以下步骤：S1.在完成MMIC正面工艺的晶圆正面涂覆一层光刻胶，并进行烘烤，固化光刻胶；S2.采用粘接剂将完成固化光刻胶的晶圆固定在治具上；S3.进行晶圆研磨减薄工艺；S4.将完成晶圆研磨减薄工艺的晶圆与治具分离；S5.去除该晶圆正面的光刻胶。本发明在晶圆正面涂覆一层光刻胶并固化，保护晶圆正面，利用粘接剂在一定压力下将晶圆固定在治具上，以对晶圆背面进行减薄抛光工艺，最后将晶圆与载具分离后利用湿法方式去除晶圆正面光刻胶，完成晶圆研磨减薄工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 晶圆正面 光刻胶 研磨减薄工艺 治具 研磨 固化光 粘接剂 去除 涂覆 损伤 减薄抛光 晶圆背面 正面工艺 烘烤 湿法 载具 固化 | ||
【主权项】：
1.一种降低晶圆研磨正面损伤方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在完成MMIC正面工艺的晶圆正面涂覆一层光刻胶，并进行烘烤，固化光刻胶；S2.采用粘接剂将完成固化光刻胶的晶圆固定在治具上；S3.进行晶圆研磨减薄工艺；S4.将完成晶圆研磨减薄工艺的晶圆与治具分离；S5.去除该晶圆正面的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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