[发明专利]一种单片硅基微压传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201810222541.7 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108458820A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 沈绍群;罗小勇;阮炳权 | 申请（专利权）人： | 广东和宇传感器有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529100 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片硅基微压传感器及其制作方法，通过在硅基片之中的腐蚀坑之中，制作背岛结构，而在背岛结构之中，包括有用于稳定测量的背岛，相对于常见的厚度为400微米左右的微压传感器，本发明的背岛的体积很小，而且背岛底面与硅基片的边框平面距离远远大于5－10微米，所以，本发明的单片硅基微压传感器之中的背岛不会受到硅基片的厚度限制，从而能够提高产出率、降低成本；与传统的E型结构相比，更能够克服大背岛的自重效应，从而提高稳定性；此外，还能够避免出现背岛与玻璃键合而导致器件失效的问题；另外，还能够形成厚度一致性好、灵敏度一致性好的弹性硅膜，从而适宜于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 背岛 微压传感器 单片硅基 硅基片 制作 厚度一致性 边框平面 玻璃键合 厚度限制 器件失效 稳定测量 一致性好 产出率 传统的 弹性硅 腐蚀坑 灵敏度 底面 | ||
【主权项】：
1.一种单片硅基微压传感器，其特征在于：包括硅片主体，所述硅片主体包括相互键合于一起的硅基片(1)和弹性硅膜(2)，所述硅基片(1)和弹性硅膜(2)之间设置有第一二氧化硅层(3)，所述硅基片(1)之中设置有腐蚀坑(4)，所述腐蚀坑(4)之中设置有背岛结构，所述背岛结构包括用于稳定测量的背岛(5)和包裹所述背岛(5)设置的腐蚀自终止结构。
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