[发明专利]一种鳍式晶体管器件的制造方法在审
| 申请号： | 201810223692.4 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108305835A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;李志华;唐波;李彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式晶体管器件的制造方法，在衬底上外延生长第一外延层，而后在第一外延层上外延生长第二外延层，而后，刻蚀第二外延层，形成鳍。由于第一外延层具有与第二外延层不同的材料，使得二者具有刻蚀选择性，在形成鳍的刻蚀过程中，以第一外延层为刻蚀停止层，这样，可以使得形成的鳍都停止在第一外延层上，有效控制刻蚀深度，使得鳍的高度可控，从而，提高鳍的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 鳍式晶体管 外延生长 刻蚀 刻蚀停止层 刻蚀选择性 刻蚀过程 有效控制 均匀性 衬底 可控 制造 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式晶体管器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上外延生长半导体材料的第一外延层；在所述第一外延层上外延生长半导体材料的第二外延层，所述第一外延层具有同所述第二外延层不同的材料；以所述第一外延层为刻蚀停止层，刻蚀所述第二外延层，以形成鳍；在所述鳍之间形成隔离结构，以及在所述鳍上形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
