[发明专利]半导体组件的制作方法在审
| 申请号： | 201810223925.0 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110010505A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 范家杰;丁景隆;王程麒;吴明仓 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体组件的制作方法，包括提供一基板，在基板上形成一牺牲层，在牺牲层上设置多个第一芯片，然后形成一第一介电层，且第一介电层包围所述多个第一芯片，在该第一介电层中形成多个沟槽，以及在沟槽中形成一第二介电层。其中第一介电层的上表面与第二介电层的上表面位于同一平面。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 半导体组件 上表面 牺牲层 基板 芯片 制作 包围 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在该基板上形成一牺牲层；在该牺牲层上设置多个第一芯片；形成一第一介电层，且该第一介电层包围所述多个第一芯片；在该第一介电层中形成多个沟槽；以及在所述多个沟槽中形成一第二介电层；其中该第一介电层的上表面与该第二介电层的上表面位于同一平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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