[发明专利]包括在有源鳍之间的突出绝缘部分的半导体器件有效
| 申请号： | 201810224652.1 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108428734B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 前田茂伸;姜熙秀;沈相必;洪秀宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/775;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括：场绝缘层，其包括具有在第一和第二正交方向上延伸的平面主表面的第一区域以及垂直地设置在主表面上的第二区域，第二区域的顶表面离主表面具有特定距离；第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍，其在场绝缘层上延伸，第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍由场绝缘层的相对于第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍正交地延伸的第二区域分离；设置在第一多沟道有源鳍上的第一栅极以及设置在第二多沟道有源鳍上的第二栅极；以及设置在场绝缘层的第二区域与第一栅极之间的第一外延源/漏区以及设置在场绝缘层的第二区域与第二栅极之间的第二外延源/漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 有源 之间 突出 绝缘 部分 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：场绝缘层，其包括具有在第一和第二正交方向上延伸的平面主表面的第一区域以及垂直地设置在所述主表面上的第二区域，所述第二区域的顶表面离所述主表面具有特定距离；第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍，其在所述场绝缘层上延伸，所述第一多沟道有源鳍和所述第二多沟道有源鳍由所述场绝缘层的相对于所述第一多沟道有源鳍和所述第二多沟道有源鳍正交地延伸的所述第二区域分离；设置在所述第一多沟道有源鳍上的第一栅极以及设置在所述第二多沟道有源鳍上的第二栅极；以及设置在所述场绝缘层的所述第二区域与所述第一栅极之间的第一外延源/漏区以及设置在所述场绝缘层的所述第二区域与所述第二栅极之间的第二外延源/漏区。
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