[发明专利]一种高电离率大面积氧化物阴极等离子体源阴极及制作方法在审
申请号: | 201810225363.3 | 申请日: | 2018-03-19 |
公开(公告)号: | CN108417470A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 李敏迟;刘宇;余鹏程;雷久侯;曹金祥 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01J1/20 | 分类号: | H01J1/20;H01J1/142;H01J9/04 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提出了一种高电离率大面积氧化物阴极等离子体源阴极及其制作方法,它包括下列摩尔分数的物质:碳酸钡0.58份,碳酸锶0.38份,碳酸钙0.04份,它们是由气液合成法制得的亚微米颗粒,喷涂在基金属板上形成一层厚度在60‑80μm之间的涂层。本发明具有增加使用寿命,提高等离子体分布的均匀度和加强发射能力的优点。 | ||
搜索关键词: | 阴极 等离子体源 氧化物阴极 电离率 等离子体分布 亚微米颗粒 碳酸钙 发射能力 合成法制 基金属板 摩尔分数 使用寿命 层厚度 均匀度 碳酸钡 碳酸锶 喷涂 气液 制作 | ||
【主权项】:
1.一种高电离率大面积氧化物阴极等离子体源阴极,其特征在于:由基金属板和喷涂在基金属板上的发射浆构成;所述发射浆包括下列摩尔分数的物质:碳酸钡0.5~0.6份,碳酸锶0.3~0.4份,碳酸钙0.01~0.1份。
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