[发明专利]基于二维硒化铟和黑磷的范德瓦尔斯异质结的光探测器及其制备

摘要

本发明涉及基于二维硒化铟和黑磷的范德瓦尔斯异质结的光探测器及其制备，该光探测器包括硅衬底和设置于硅衬底上面的二氧化硅氧化层，二氧化硅氧化层上设置有p型黑磷层，p型黑磷层上面设置有n型硒化铟层，p型黑磷层和n型硒化铟层构成范德瓦尔斯p‑n异质结；n型硒化铟层上设置有漏极电极，所述p型黑磷层上设置有源极电极，硅衬底上与二氧化硅氧化层相对的一面设置有栅极电极。本发明中n型硒化铟与p型黑磷形成p‑n异质结，界面处内建电场可以实现电子和空穴载流子的快速分离，减小载流子复合几率进而减小器件暗电流，有利于降低探测器噪声和提高响应速度。

主权项

1.一种基于二维硒化铟和黑磷的范德瓦尔斯异质结的光探测器，其特征在于，该光探测器包括硅衬底和设置于硅衬底上面的二氧化硅氧化层，所述的二氧化硅氧化层上设置有p型黑磷层，所述的p型黑磷层上面设置有n型硒化铟层，所述的p型黑磷层和n型硒化铟层构成范德瓦尔斯p‑n异质结；所述n型硒化铟层上设置有漏极电极，所述p型黑磷层上设置有源极电极，所述硅衬底上与二氧化硅氧化层相对的一面设置有栅极电极。