[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法，能提高半导体器件的性能。一实施方式的半导体器件具有导线(12)，其在形成于半导体芯片的绝缘膜上的开口部(13H1)处，在一个接合面(SEt1)的多个部位接合。另外，半导体器件具有以与接合面(SEt1)接触的方式封固上述半导体芯片及导线(12)的封固体。接合面(SEt1)具有供导线(12)的接合部(12B1)接合的区域(SER1)、供导线(12)的接合部(12B2)接合的区域(SER2)、以及位于区域(SER1)与区域(SER2)之间的区域(SER3)。区域(SER3)的宽度(WH3)比区域(SER1)的宽度(WH1)及区域(SER2)的宽度(WH2)小。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体芯片，其包括电极焊盘和绝缘膜，该电极焊盘具有第1接合面，该绝缘膜具有使所述电极焊盘的所述第1接合面露出的第1开口部；第1导线，其与所述电极焊盘的所述第1接合面接合；以及封固体，其以与所述电极焊盘的所述第1接合面接触的方式封固所述半导体芯片和所述第1导线，所述第1接合面由金属构成，所述封固体由绝缘材料构成，在俯视观察时，所述第1接合面具有第1区域、第2区域、及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域，所述第1导线具有与所述第1接合面的所述第1区域接合的第1接合部、与所述第1接合面的所述第2区域接合的第2接合部、及位于所述第1接合部与所述第2接合部之间的第1中间部，在俯视观察时，所述第1中间部沿着第1方向延伸，且所述第1中间部与所述第3区域分离，在俯视观察时，所述第1区域在与所述第1方向正交的第2方向上的宽度、和所述第2区域在所述第2方向上的宽度，比所述第3区域在所述第2方向上的宽度大。