[发明专利]基于两个单脊光栅的5×5点阵衍射光栅有效
| 申请号： | 201810226783.3 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108680978B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 周常河;鲁云开;项长铖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于两个单脊光栅的5×5点阵衍射光栅，该光栅是由两个一维单脊光栅上下排列一体构成，且上层光栅的光栅周期方向与下层光栅的光栅周期方向互相垂直，所述的光栅周期均为1.309微米，上层光栅占空比为0.576～0.611，刻蚀深度为1.008～1.072微米，下层光栅占空比为0.5，刻蚀深度为0.873～0.897微米。当TM偏振光垂直入射时，将产生5×5的点阵，总的衍射角度为80°×80°，总的衍射效率大于93％，并且其均匀性优于8％。本发明由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成，取材方便，造价小，能批量生产，具有重要的实用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 两个 光栅 点阵 衍射 | ||
【主权项】：
1.一种用于633纳米波长的基于两个单脊光栅的5×5点阵衍射光栅，其特征在于该光栅是由两个一维单脊光栅上下排列一体构成，且上层光栅的光栅周期方向与下层光栅的光栅周期方向互相垂直，所述的光栅周期均为1.309微米，上层光栅占空比为0.576～0.611，刻蚀深度为1.008～1.072微米，下层光栅占空比为0.5，刻蚀深度为0.873～0.897微米。
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