[发明专利]AMOLED节省硬件存储空间的IR drop补偿方法在审

专利信息
申请号: 201810227166.5 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN108510431A 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: G06T1/60 分类号: G06T1/60;G09G3/3225
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 351111 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种AMOLED节省硬件存储空间的 IR drop 补偿方法。将整个panel的sub‑pixel等分为n*m 个block (n*m< < panel resolution)。假设每个block内有K个sub‑pixel,这K个sub‑pixel 有K个Vdata,取一个Vdata平均值来代表这个block。先令OVdd,1=OVdd,2=…=OVdd,n=OVdd,然后代入(1)式,得到每个block的Ids.将Ids,1~Ids,n代入(2)式解出OVdd,1~OVdd,n。重复上述过程几次,可得到较为准确的每份的平均OVdd。系统送出新的Vdata,改善亮度均匀性。本发明不但可以节省硬体存储空间,并且能够补偿IR drop。
搜索关键词: 硬件存储空间 亮度均匀性 存储空间 硬体 重复
【主权项】:
1.一种AMOLED节省硬件存储空间的 IR drop 补偿方法,其特征在于,包括如下步骤,步骤S1、将整个OLED面板的子像素等分为n*m 个block;步骤S2、假设每个block内有K个子像素,这K个子像素有K个Vdata,取Vdata平均值来代表这个block;先令OVdd,1= OVdd,2=…= OVdd,n= OVdd,然后代入下式(1),得到每个block的Ids:                        (1)其中,I ds,sat为TFT2工作在饱和区时流经OLED的电流,为电子迁移率,为TFT2器件MIS结构的单位面积电容,表示TFT2器件沟道宽和沟道长之比,Vdata为TFT2栅极电压,OVdd为TFT2源极电压,为TFT2阈值电压;步骤S3、将每个block的Ids,1~ Ids,n代入下式2解出OVdd,1~ OVdd,n:            (2)其中,i=1,2…n;R为OVdd走线上相邻两个block之间的走线电阻;步骤S4、重复步骤S2和步骤S3,得到每个block的平均OVdd;步骤S5、根据步骤S4结果输出每个block新的Vdata,改善亮度均匀性。
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