[发明专利]场效应晶体管与检波电路有效
| 申请号： | 201810227333.6 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN108615770B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;赵晓亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;G01R29/02;G01R29/027;G01R29/24 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;霍文娟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种场效应晶体管与检波电路。该场效应晶体管包括依次叠置的背栅层、衬底层、栅介质层、半导体层以及金属电极，且金属电极有两个，两个金属电极间隔地设置在半导体层的远离栅介质层的表面上，栅介质层包括主体和分散在主体中的离子。该场效应晶体管中的栅介质层中包括一定浓度的离子，可以起到栅的作用，并且利用栅介质层/半导体层之间的界面处或栅介质层中的电荷的非平衡分布，实现器件中的电流随时间变化。由此可知，该场效应晶体管的工作发生在断电状态，功耗基本为0，可以有效地节省能源。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 检波 电路 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括依次叠置的背栅层(101)、衬底层(102)、栅介质层(103)、半导体层(104)以及金属电极(105)，且所述金属电极(105)有两个，两个所述金属电极(105)间隔地设置在所述半导体层(104)的远离所述栅介质层(103)的表面上，所述栅介质层(103)包括主体和分散在所述主体中的离子。
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