[发明专利]金属电迁移测试结构及使用该结构的金属电迁移测试方法在审
| 申请号： | 201810228231.6 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108447797A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王志强;韩坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邓晔 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及金属电迁移测试结构及使用该结构的金属电迁移测试方法，该金属电迁移测试结构包括：位于相同层的至少两条待测目标金属线；以及位于待测目标金属线的相邻层的至少一条连接用金属线。利用连接用金属线经由通孔使待测目标金属线串联连接，并对连接用金属线的长度进行设置，以使得在进行金属电迁移测试时，由待测目标金属线和连接用金属线串联而成的串联电路的电阻值发生跳变。 | ||
| 搜索关键词： | 金属线 金属电 迁移 待测目标 测试结构 测试 串联电路 相邻层 电阻 跳变 通孔 串联 | ||
【主权项】：
1.一种金属电迁移测试结构，其特征在于，包括：位于相同层的至少两条待测目标金属线；以及位于所述待测目标金属线所在层的不同层、且经由通孔使所述待测目标金属线彼此串联连接的至少一条连接用金属线，在进行金属电迁移测试时，所述连接用金属线的长度能够使所述待测目标金属线和所述连接用金属线串联而成的串联电路的电阻值发生跳变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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